据英国《每日邮报》消息，当地时间5月14日上午11时，数位蒙面枪手在法国一处公路收费站伏击了一辆囚车，杀死至少两名狱警，造成多人重伤，他们“救”出了一名外号“苍蝇”的疑似毒枭头目，并立即逃跑，至今仍未被抓获。
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IT之家 8 月 24 日消息，SK 海力士正借助英特尔 EMIB 等先进封装技术打造其下一代 HBM 解决方案，未来将进入 3D 封装阶段。
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被劫走的囚犯叫穆罕默德·阿姆拉 (Mohammed Amra) ，绰号“La Mouche”（苍蝇），今年30岁，据一名警方消息人士告诉《巴黎人报》，穆罕默德是法国“一个毒品网络的头目”，因此非常危险。
IT之家注意到，在 Hot Chips 2026 大会上，SK 海力士封装工程副总裁 Jaesik Lee 发表了题为“高带宽内存的先进封装”（Advanced Packaging for High-Bandwidth Memory）的简报，阐述了公司计划如何利用先进封装技术加速其 HBM 路线图。
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另据BFMTV报道，穆罕默德·阿姆拉上周二刚刚被埃夫勒司法法院判处18个月监禁，罪名是盗窃，其罪行包括在2019年8月至10月间在埃夫勒郊区的超市和公司盗窃。该公司首先介绍了 HBM 目前的制造方式。另据报道，2022年6月17日，穆罕默德在马赛因贩毒案件涉嫌故意杀人罪而被起诉。HBM 结构由 3D 堆叠结构组成，通过 TSV（硅通孔）将多个核心芯片（DRAM IC）连接到基底裸片（base die）。
五 | HBM 目前最高可达 16 层，即 16-Hi 堆叠。HBM 与 GPU 是独立的芯片，但通过 2.5D 封装安装在同一个硅中介层上。
劫囚事件发生前，穆罕默德被关在诺曼底鲁昂监狱，两天前，他刚刚试图越狱，因此，狱方将他的监护级别已提升至三级，将其单独监禁。
袭击事件发生时，警方的车辆正在将穆罕默德向埃夫勒镇拘留中心转移，这一行动本应是保密的。每个 HBM 模块还通过硅中介层包含 1024 个 IO 和 16 个通道，这些 IO 通过 PHY 将 HBM 堆叠连接到 XPU。
5月14日上午11点后，囚车正经过A154 公路上的因卡维尔收费站，突然出现数名蒙面枪手，一名惊恐的乘客在恰好经过的巴士上拍下一段视频，内容显示枪手用武器瞄准囚车。
根据当地警方消息人士的报告，松手使用的武器是卡拉什尼科夫冲锋枪，消息人士最初称共计三名狱警被杀死，后来改宣布有两人死亡，另有多人受重伤，“一名因与贩毒有关的案件而闻名的囚犯与一个由大约四名男子组成的团伙一起逃走。HBM 作为 DRAM 解决方案之所以重要，是因为它节省空间、功耗和运营成本。典型的 GDDR6 方案可提供 24GB 容量和 768GB/s 带宽，而配备四个堆叠的 HBM3E 方案可节省多达一半的空间，同时提供高达 144GB 容量和 4TB/s 带宽。”
法国司法部长埃里克·杜邦·莫雷蒂 (Eric Dupond Morretti) 报告，两名已被确认死亡的狱警中一人出生于1972年，享年52岁，有妻子和两个孩子；另一名警察更为年轻，现年35岁，妻子已怀孕5个月。莫雷蒂说：“我的心与受害者、他们的家人和同事同在。SK 海力士目前的路线图将 HBM4 作为顶级产品，DRAM 密度高达 24Gb，容量最高达 36GB，总计 2048 个 IO 位，IO 速度最高 8Gbps，带宽达 2048GB/s。
HBM4 的封装高度和尺寸都有所增加，集成的 TSV 和微凸点也比 HBM3E 更多。
六 | 具体成果如下：带宽超过 2TB/s功耗效率提升 40% 以上相比 HBM3E 耐热性提升 14% 以上容量最高 48GB（12-Hi 已量产，16-Hi 正在认证中）Z 轴高度 775 微米，尺寸 12.8x11 平方毫米16,148 个底部微凸点超过 2 万个 TSV
目前主要有两种 HBM 封装技术：热压键合 + 非导电膜（TC+NCF）和整体回流 + 模塑底部填充（MR+MUF）。”
蒙面团伙成员与被劫走的穆罕默德最初乘坐两辆车逃跑，其中一辆为奥迪A5，另一辆为宝马5系列。
七 | TC+NCF 对芯片翘曲问题有更好的抵抗力，但热阻更高、生产率较低。MR+MUF 生产率更高、热阻更低，但更容易出现芯片翘曲，且在间隙填充方面存在缺陷。
八 | SK 海力士还重点介绍了其 HBM 工艺流程，包括从晶圆厂到客户系统的六个关键阶段。
据法国媒体报道，白色奥迪A5在厄尔省瓦特维尔附近被发现起火。
负责勒伊谷地区的厄尔省省议会主席亚历山大·拉萨特 (Alexandre Rassaërt) 表示：“得知因卡维尔收费站发生了真正的大屠杀时，我惊呆了。
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SK 海力士在 HBM 封装中集成了四项关键技术，包括：TSV（硅通孔）形成晶圆减薄微凸点形成芯片堆叠 / 底部填充先进的 MR-MUF 已应用于 SK 海力士的 16-Hi HBM3E 方案，并引入了两项新技术：翘曲控制和细间距互连与窄间隙填充。总封装高度增至 775 微米，芯片厚度缩减至 0.9 倍，间隙高度缩减至 0.5 倍，凸点间距缩减至 0.9 倍。展望未来，还有一些关键挑战需要解决。首先是随着带宽需求激增带来的 HBM 功耗上升，其次是散热问题以及 TSV 区域面积。
十 | ”“我衷心希望，尽快将实施这起血腥袭击的凶手绳之以法。”“我的心与受害者的家人同在。”
法国总统埃马纽埃尔·马克龙也在劫囚袭击事件后发表了讲话。随着 TSV 数量增长，尽管 TSV 间距不断缩小，但所占面积仍在持续增加。此外，每两代带宽近乎翻倍，给现有工艺和封装技术带来了 2.2 倍的热负担。因此，SK 海力士正在研究混合键合（Hybrid Bonding）等未来技术方案，以突破 16-Hi 堆叠限制，通过更窄的间距提供更高性能，并通过更高的导电性实现更好的散热效率。
十一 | SK 海力士展示的数据显示，与 MR-MUF 工艺相比，混合键合可使核心芯片厚度增加 24%，TSV 间距小于 18 微米。
马克龙总统在社交媒体X上写道，“今天早上的袭击导致监狱管理人员丧生，这对我们所有人来说都很震惊。即使堆叠层数增加，混合键合的热阻仍可降低 35%。”“法国与受害者的家人、伤者及其同事站在一起。与三星的 HPB（散热路径模块）类似，SK 海力士正在开发自己的局部热点缓解技术，名为 I-HBM，该技术在 HBM D2D PHY 区域（热点附近）嵌入高导热且电绝缘的冷却组件，打造专用散热路径，可额外降低 30% 以上的热阻。
十二 | ”“我们正在尽一切努力寻找这起罪行的肇事者，我们将以法国人民的名义伸张正义。”
据比森·富特报道，伏击事件发生后，警方已“无限期”封闭该道路。展望未来，SK 海力士计划通过 TSV 数量翻倍、结合逻辑工艺集成提升 IO 速度来增加带宽，同时利用最新优化的逻辑代工工艺解决功耗 / PDN（电源分配网络）挑战，通过“无处不在”的电源 TSV 大幅改善 PDN。HBM 技术对更高功率密度、带宽和堆叠高度的持续追求，带来了显著的热学、力学和封装挑战，其驱动因素包括更厚的氧化层、更密集的 TSV 和不断攀升的引脚速度。
。MLMO、优化的微凸点、新兴的混合键合（用于改善热导率、工艺窗口和更细的间距）以及 I-HBM 等热点解决方案正在积极应对这些问题。然而，随着堆叠向 16-20 层高度演进，架构向与逻辑芯片更紧密的 3D 集成方向发展，成功将要求设计、材料、客户工艺和中介层技术之间更紧密的协同优化。行业内的持续合作对于满足未来工作负载对容量和带宽的需求仍然至关重要。该公司还在其 2.5D HBM 方案幻灯片中展示了英特尔 EMIB 封装技术，与 CoWoS-L、CoWoS-R 和 CoWoS-S 并列。值得注意的是，有传闻称英特尔和 SK 海力士将在存储领域成立合资公司。SK 海力士还展示了不同的先进封装技术如何以不同方式对 HBM / 中介层施加应力。
